測試根據(jù)半導體P-N結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態(tài)電容（△C~t）技術和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。

　　也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

　　深能級瞬態(tài)譜儀功能特色：

　　1、測試功能多樣。

　　2、測試溫度范圍大。

　　3、包括傅里葉轉換，Laplace轉換和多指數(shù)擬合等技術。

　　4、具有較高的能量分辨率。