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IG2型離子源 / 氬槍，典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型離子源)，濺射清洗 /表面準(zhǔn)備，用于表面科學(xué)， MBE ，高真空濺射過程。

合金納米顆粒UHV沉積源，通過調(diào)整各種工藝參數(shù)（如氣體流量、氣體類型、磁控管功率和聚集長度 （Lg））或改變聚集區(qū)孔徑的大小，來控制納米顆粒涂層的性能。

UHV磁控濺射源是高質(zhì)量的磁控濺射源，用于超高真空應(yīng)用的圓形磁控管，可以單獨(dú)提供，也可以集成到定制的真空系統(tǒng)中。這些圓形磁控濺射源與所有 UHV 系統(tǒng)兼容。

俄歇電子能量譜組件，是一款俄歇光譜圓柱鏡分析儀，專為許多不需要AES映射功能的俄歇分析應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

熱舟蒸發(fā)源-真空組件 應(yīng)用范圍： 薄層沉積； 光學(xué)涂覆； 混合層沉積； 金屬電極接觸。

俄歇電子能量譜-真空組件 俄歇電子能量譜是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面分析技術(shù). AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。俄歇電子在固體中運(yùn)行也同樣要經(jīng)歷頻繁的非彈性散射，

等離子體原子/離子源-真空組件 產(chǎn)生感應(yīng)耦合等離子體,包括氮?dú)?氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個(gè)射頻線圈（頻率13.56MHz）,能量將轉(zhuǎn)化為等離子體，這會(huì)產(chǎn)生僅具有低離子能量的”軟”等離子體。 我司提供的這款電子束蒸發(fā)源是由高質(zhì)量，*與高真空兼容材料構(gòu)成，并且可以烘烤至250℃。

半球型電子能量分析譜-真空組件 大型高透射半球形電子能量分析譜--120mm半徑. ¨ 全程180度反轉(zhuǎn)角度. ¨ 邊緣界線區(qū)域校正--使用Jost電極.