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簡要描述：磁控濺射靶源-真空組件我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)（1e-11torr）匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環(huán)境下，可以實(shí)現(xiàn)超高純度的濺射沉積。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2025-12-04訪 問 量：3007詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)(1e-11torr)匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環(huán)境下，可以實(shí)現(xiàn)超高純度的濺射沉積。
磁控濺射靶源-真空組件
應(yīng)用范圍：
金屬沉積；
電介質(zhì)沉積；
復(fù)合物沉積。
技術(shù)參數(shù):
不同型號濺射源可以選用不同靶材尺寸 .1",2",3" 等各種靶材尺寸均可使用;
靶材厚度薄,低至4mm,節(jié)約靶材;
濺射源法蘭上帶有氣體管道，以便提高操作濺射源時的真空。
手動/馬達(dá)驅(qū)動 擋板
濺射源可設(shè)計(jì)成原位傾斜，傾斜角度(+/-30o)
氣體流量控制
進(jìn)程全自動化
真空中可烘烤至250攝氏度;
占用空間小;
冷卻水流量低,僅0.5L/min
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