濕法晶電鍍晶圓卡盤：

在液體蝕刻劑中蝕刻晶片涉及整個(gè)晶片與蝕刻劑接觸。我們的濕處理晶片卡盤可以保護(hù)晶片的背面免受攻擊。通過(guò)這種方式，可以蝕刻深結(jié)構(gòu)，而不需要掩模背面?？梢灾圃烊魏尉叽绲目ūP以及單芯片卡盤。 產(chǎn)品描述 卡盤由晶片夾持器和夾緊環(huán)組成。晶片放置在夾持器上，由夾緊環(huán)固定，夾緊環(huán)擰在卡盤上。三個(gè)精密密封圈確保晶片的防漏夾緊。夾持器中用戶定義的凹槽最大限度地減少了夾緊晶片上的應(yīng)力。 卡盤由PEEK制成，PEEK能夠抵抗微細(xì)加工中使用的大多數(shù)蝕刻溶液（HF、KOH、TMAH）。 對(duì)于薄膜的制造，可以添加通風(fēng)管，將卡盤中的封閉空氣連接到大氣壓。如果蝕刻溶液被加熱，強(qiáng)烈建議這樣做。

濕蝕刻或電沉積過(guò)程中用于背面保護(hù)的濕處理晶片卡盤：我們?yōu)橹睆皆?英寸至200毫米之間、厚度在所需范圍內(nèi)的晶片制造卡盤。
可以根據(jù)要求制造定制卡盤?？梢灾圃煊糜贙OH和HF蝕刻以及浸入其他化學(xué)物質(zhì)的卡盤。帶有集成環(huán)形電極的卡盤可以在電鍍過(guò)程中均勻化晶片上的電流密度分布。可以根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)用于多個(gè)濕處理晶片夾具的晶片卡盤載體。大多數(shù)載體的設(shè)計(jì)都是為了適合我們客戶的蝕刻設(shè)備。

下面，我們列出了濕法蝕刻微細(xì)加工工藝中使用的一些標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)品，這些化學(xué)品與WPWC兼容：

HF（氫fu酸）

KOH（氫氧化鉀）

TMAH（四甲基氫氧化銨）

濕法晶電鍍晶圓卡盤代碼：WPWC

晶圓尺寸：2英寸至200毫米，可定制尺寸

蝕刻劑兼容性：HF、KOH、TMAH，可根據(jù)要求提供其他化學(xué)品

材料

支架：PEEK

夾緊環(huán)：PEEK

螺釘：PEEK

密封：取決于使用的化學(xué)品

內(nèi)部尺寸（mm）

密封圈厚度：1.78

建議邊緣排除：5

外形尺寸（mm）

直徑晶圓尺寸：+40

厚度：25

螺釘：M6

晶圓厚度公差（µm）：晶圓厚度+/-80

溫度范圍：5至150攝氏度