紅外晶圓檢測(cè)顯微鏡：

硅片是集成電路（IC）和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造中使用的重要部件。在紅外（IR）范圍內(nèi)看穿這種半導(dǎo)體材料的能力有利于制造過(guò)程的質(zhì)量控制。

我們的紅外晶圓檢測(cè)顯微鏡（IR-M）配備了長(zhǎng)工作距離物鏡。3步變焦允許用戶選擇合適的視場(chǎng)和放大倍數(shù)。紅外敏感相機(jī)在計(jì)算機(jī)上顯示被檢樣品的圖像（通過(guò)USB 3.0通信）。使用5倍物鏡，分辨率優(yōu)于3μm。

此外，還提供頂部照明。這使得顯微鏡可以在傳統(tǒng)模式下使用，并檢查晶片的頂面。紅外顯微鏡配備了一個(gè)xy工作臺(tái)，可容納?200mm（8英寸）或更小的晶片?？蛇x地，xy工作臺(tái)可以由電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以便通過(guò)圖形用戶界面（GUI）和/或操縱桿進(jìn)行方便的控制。

紅外晶圓檢測(cè)顯微鏡應(yīng)用

除其他應(yīng)用外，IR-M還可用于半導(dǎo)體和MEMS器件檢測(cè)：

通過(guò)透射成像觀察硅片（即微結(jié)構(gòu)晶片）

太陽(yáng)能電池的功率效率檢查

以下圖像是用IR-M成像顯微鏡拍攝的。他們展示了一種微結(jié)構(gòu)絕緣體上硅（SOI）晶片。第一幅圖像顯示了具有頂側(cè)照明（可見(jiàn)光譜）的經(jīng)典顯微鏡圖像。第二張圖像是用紅外照明（IR透射模式）拍攝的，顯示了基底層和器件層之間的埋入氧化硅（SiO2）。

在IR-M紅外顯微鏡下觀察到的硅MEMS器件——此圖顯示了紅外顯微照片（透射模式）和在不可見(jiàn)光下觀察的疊加圖片（反射模式）。